美光宣告，现已完结第四代3D NAND闪存的初次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并方案在下一年投入量产。
美光第四代3D闪存堆叠了最多128层，持续运用阵列下CMOS规划思路，不过美光与Intel运用多年的起浮栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate)，以缩小尺度、下降本钱、提高功能，升级到下一代制作工艺也更简单。
这种新架构是美光单独研制的，并没有Intel的协助，两边现已越走越远。
不过，完结流片仅仅美光新闪存的一步测验，美光还没有方案将任何一条产品线转向RG架构，暂时也不会带来真实的本钱下降。
现在，美光的首要任务是扩展96层3D闪存的产能，下一年将其应用到各条产品线。
